Güney Kore merkezli Samsung, dünyanın en büyük bellek üreticilerinden biri konumunda. Yeni gelen bilgiler ise firmanın yapay zekâ sistemlerinin değişen depolama ve veri transfer ihtiyaçlarını karşılamak adına 3 yeni bellek teknolojisi geliştirdiğini ortaya koydu.
ZDNet kaynaklı bilgilere göre şirketin geliştirdiği bu 3 model; Z-NAND-O, Z-NAND-T ve Z-NAND-I olarak karşımıza çıkacak. Ağustos ayındaki bir etkinlikte Z-NAND-O’nun konsept modeli ilk kez sergilenmişti.
İçerikten Görseller
Yeni bellek teknolojileri neler sunacak?
Geliştirilmekte olan üç sürümün her biri farklı bir performans metriğine odaklanıyor. Z-NAND-O, cihaz içi yapay zekâ işlemlerine yönelik tasarlanıyor. NAND yongalarını 4 veya 8 katmanlı olarak dikey biçimde üst üste istifleyen bellek, akıllı telefon ve mobil cihazlarda anlık veri aktarım hızını artırırken güç tüketimini düşürmeyi amaçlıyor.
Z-NAND-T ise yüksek işlem hacmine ve veri akış bant genişliğine odaklanıyor. Devasa veri miktarlarını hızlıca aktarması gereken yapay zeka veri merkezlerini hedeflediğini belirtelim. Z-NAND-I de saniye başına girdi/çıktı işlem sayısına öncelik vererek çok sayıda eşzamanlı okuma ve yazma talebinin gerçekleştiği veri tabanı ve yapay zekâ sunucu iş yüklerini hedefliyor.
Samsung’un bu hamlesi pazarda yalnız değil. Rakip bellek üreticisi SK Hynix de benzer bir yaklaşımla “AI-NAND Family” serisini geliştiriyor. SK Hynix tarafında performans odaklı AIN P, depolama yoğunluğu odaklı AIN D ve bant genişliği odaklı AIN B modelleri yer alıyor.
